RTP快速热扩散和常规热扩散的比较RTP系统采用光加热方式，而常规热扩散采用的是电阻炉加热，这是它们主要区别。RTP快速热扩散和传统热扩散的比较见，加热过程和扩散时间的比较如。RTP快速热扩散和传统热扩散的热周期完全取决于它们的应用，但通常都包含这样的一个过程：升温到设定的高温，片子在特定的温度下保持设定的时间，然后再降温。它们的不同之处在于：RTP快速热扩散有快的升降温速率，要求进行复杂的、多阶段的热处理。

　　RTP快速热扩散最大的不同之处在于：在RTP系统里，被处理的片子和周围环境从没有处在热平衡状态。

　　RTP快速扩散模型在常规扩散里，杂质原子是基于热力学而进行的扩散，主要靠漂移场和浓度梯度场的作用。而在快速热扩散中，除了有热力学作用外，主要受到光效应的作用，特别是高能光子的作用<43、45、46、47>，其他还有氧化增强效应<6>，瞬态增强效应<31、47>和场助效应等<38>。

　　对Si而言，相关系数f=0.78，协调因子nc=4。因为空位的形成要求的能量相当高，所以可以假定Sf和Hf保持不变。在给定的工艺温度下，导致扩散系数有净增值<45>。这就从理论上说明了在快速扩散中是扩散为什么快。

　　RTP硅太阳电池的实验室制造尽管RTP技术在1965年就出现，但是它在太阳电池的制造中一直未见应用。直到1985年才有报道在实验室里用RTP技术来制作太阳电池的p-n结。

　　RTPFZ单晶硅太阳电池FZ（floatzone）是区熔单晶硅，一般用作集成电路的材料。RTPFZ单晶硅太阳电池的最高实验室效率是19.1%。由于硅片面积、制作工艺不一样，所以效率有差别。近年来，RTP硅太阳电池一般都制作选择性高低结。有利于载流子的收集和减低表面复合速度，从而提高短路电流和开路电压。RTPFZ硅太阳电池效率由于不同的单位在不同的年代采用的制作工艺有所不同，在区熔单晶硅上得到转换效率也不一样，RTPFZ单晶硅太阳电池的发展过程见。

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