外围电路串联了放电保护MOS管和充电保护MOS管，COUT输出信号被加在充电保护MOS管的栅上，COUT为低电平则充电MOS管被关断，反之则导通。对DOUT输出信号的工作方式和COUT相同，当VDD电压降到VREL1－以下后，COUT输出一个高电平重新让外围电路进行工作。

　　当对锂离子电池进行放电时，电压由高到低变化，如果电压低于VDET2（过放门限电压），一个TVDET2延迟后，在芯片引脚DOUT输出一个低电平切断外围电路，不再对锂离子电池进行放电。当检测到V－脚处电压大于VDET3（过流检测门限电压），一个TVDET3延迟后在DOUT输出一个低电平，切断外围电路。假如电压进一步增大超过Vshort，则短路保护电路立即输出一个低电平切断外围电路。

　　芯片的功能电路的设计基准电路的设计电压基准电路的输出电压可调，NMOS管的源漏并联有可调开关。由于在集成电路制造过程中难免存在工艺误差，导致基准电压输出与标称值的偏差。

　　通过激光对开关通断的控制可以对输出电压进行调节。使输出和标称值相吻合。和开关相并联的NMOS管的导通电阻比较小，在调节过程中，不会导致输出JIZHUN电压的大幅变化。中的M1、M2、M3、M4为耗尽NMOS管，栅源相连并工作在饱和区，NMOS管的沟道调制效应可以忽略。当电源电压变化时，这种变化转化为VDS变化，对电流不会产生影响。VGS1为M5、M6、M7等效成一个MOS管之后的栅源电压，VGS2为M8、M9、M10等效成一个MOS管之后的栅源电压。M5￣M10为增强型MOS管，工作在饱和状态。电压VJIZHUN输出用来做中比较器VD1和VD2的基准电压。

　　偏置电路的设计偏置电路如，PIANZHI1是用来偏置电路中若干PMOS管，PIANZHI2是用来偏置电路中若干NMOS管。使被偏置的NMOS管和PMOS管都工作在饱和状态。在应用中，N4、N5两个PMOS管组成电流镜，N6管的二极管接法构成了一个有源电阻，N7、N8、N9三个耗尽NMOS管和电阻R1组成了一个恒流源，通过调节R1来调节流过N5的电流，从而决定流过N4的电流，而电流和N6管的电阻值共同决定PIANZHI2电压的输出值。

(责任编辑：王杰)